Неохлаждаемые фоторезисторы на основе фоточувствительных элементов из сернистого свинца. (PbS)
Основные технические параметры фоторезистора ФС-А1:
- Площадь чувствительного слоя, мм2: 24
- Область спектральной чувствительности, мкм: 3,2
- Максимум спектральной характеристики, мкм: 2,1
- Рабочее напряжение, В: 4-40
- Темновое сопротивление, МОм: 0,04-0,4
- Темновой ток, мкА: 150
- Общий ток при Е=200лк, мА:
- Отношение темнового сопротивления к световому:
- Максимальная мощность излучения фоторезистора, мВт:
- Масса, г: 5