Предназначен для работы в составе фотоэлектрической аппаратуры и контрольно-измерительных приборов.
Основные технические параметры фоторезистора ФСД-Г1:
- Площадь чувствительного слоя, мм2: 4х7.2
- Область спектральной чувствительности, мкм: 3,2
- Максимум спектральной характеристики, мкм: 2,1
- Рабочее напряжение, В: 20
- Темновое сопротивление, МОм: 2
- Темновой ток, мкА: < 10
- Общий ток, мА: > 1.5
- Отношение темнового сопротивления к световому: > 150
- Максимальная мощность излучения фоторезистора, мВт: < 50
- Масса, г: 7,0