| Тип | B1-B2/Iк, А | Fт, МГц | Ск/Uк, пФ/В | Сэ/Uэб, пФ/В | tp, нс | Uкэ/(Iк/Iб), В/(А/А) | Uкб, В | UкэR/R, В/Ом | Uэб, В | Iкм/Iкн, А/А | Iбм, А | Pк/Рт, Вт/Вт | Rпк, С/Вт | Цок |
| ГТ806А | 10-100/10 | 10 | 0.6(15/2) | 75/ | 1.5 | 15/ | 3 | 2/30 | 2 | 80 | ||||
| ГТ806Б | 10-100/10 | 10 | 0.6(15/2) | 100/ | 1.5 | 15/ | 3 | 2/30 | 2 | 80 | ||||
| ГТ806В | 10-100/10 | 10 | 0.6(15/2) | 120/ | 1.5 | 15/ | 3 | 2/30 | 2 | 80 | ||||
| ГТ806Г | 10-100/10 | 10 | 0.6(15/2) | 50/ | 1.5 | 15/ | 3 | 2/30 | 2 | 80 | ||||
| ГТ806Д | 10-100/10 | 10 | 0.6(15/2) | 140/ | 1.5 | 15/ | 3 | 2/30 | 2 | 80 |
ГТ806
ГТ806 (кремниевый транзистор, p-n-p)