Производитель - "Светлана", Санкт-Петербург. Первые советские плоскостные транзисторы. Предназначены для усиления сигналов частотой до 100 кГц (П1Е - до 465 кГц). Разработка их была начата в начале 1953 года; первая НИР по плоскостным (слоистым) триодам называлась "Плоскость". Серийное производство начато в 1955 году (первые выпуски назывались КСВ-1, КСВ-2; впрочем встречаются и иные номера, к примеру КС-В5 = П1Д и КС-В6 = П1Е), прекращено к 1960 году. Варианты П1Ж и П1И, более высокочастотные, появились немного позже, П1Ж в первой половине 1956 года, П1И во второй. Характеристики их были более чем скромные - диапазон частот до сотен килогерц, максимальный ток 5 мА, напряжение до 20 В. К существенным недостаткам относилась низкая температурная стабильность, а также большой разброс параметров. "Исследование 50 триодов типа П1А и П1Е, выпущенных заводом <Светлана> в декабре 1956 г., показало, что основным параметром, ограничивающим использование триодов при повышенных температурах (+60°С), является неуправляемый ток коллектора Iкбо. Этот ток для 40% триодов не превосходит 0,2-0,3 мА, для 55% составляет 0,3-0,7 иА и для 5% равен 0,7-0,9 мА." Разработка этого транзистора протекала не очень гладко. "Первым транзистором, которому предстояло стать массово выпускаемым, был разработанный А.В. Красиловым в московском НИИ-35 (ныне НПП "Пульсар") транзистор П1. Это был сплавной прибор в паяном металлостеклянном корпусе. Индиевые электроды эмиттера и коллектора вплавлялись друг против друга с противоположных сторон в тонкий германиевый кристалл. Выводы от них выводились через трубки, впаянные в стеклянные изоляторы корпуса. Две половинки корпуса соединялись завальцовкой и герметизировались пайкой низкотемпературным сплавом. Выводы, проходящие в трубках корпуса, герметизировались другим низкотемпературным сплавом. Сложность была в том, что температура плавления индия всего 150°С. Четыре последовательно производимые операции пайки кристалла к основанию, выводов из "плющенки" (проволока, расплющенная валками в ленту) к электродам, герметизация шва завальцовки и, наконец, герметизация мест выхода этих выводов из корпуса с одновременной припайкой внешних выводов создавали массу возможностей для брака! Технология создания p-n-переходов в кристалле была практически лабораторного уровня. Муфельного типа печи, электроды транзистора, дозируемые из проволоки вручную, графитовые кассеты, в которых производилась сборка и формирование p-n-переходов, - эти операции требовали точности, но графит точности дать не мог. Время процессов контролировалось секундомером. Всё это не способствовало высокому выходу годных кристаллов. Он и был поначалу от нуля до 2-3% от запуска. Не способствовала высокому выходу и "производственная обстановка". Вакуумная гигиена, к которой привыкла "Светлана", для производства полупроводниковых приборов была недостаточна. Это же относилось и к чистоте газов, воды, воздуха, атмосферы на рабочих местах и в цехе, и к чистоте применяемых материалов, и к чистоте тары, и к чистоте полов и стен. Наши требования встречали непонимание. На каждом шагу руководители нового производства натыкались на искреннее возмущение служб завода: <Все вам даем, а вам все не то!>. Их корпус, герметизированный пайкой и завальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому они были недолговечны. Интересна история возникновения такого корпуса - "... Наш первый прибор вышел довольно нескладным, поскольку работая среди вакуумщиков во Фрязино, мы мыслили себе конструкции как-то иначе. Наши первые НИРовские образцы тоже были сделаны на стеклянных ножках с вваренными выводами, и очень трудно было понять, как эту конструкцию герметизировать. Конструкторов у нас не было, как, впрочем, и никакого оборудования. Не удивительно, что первая конструкция приборов была очень примитивной, безо всякой сварки. Была только закатка, и делать их было очень трудно..."[12].